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Référence fabricant
ZTX689BSTZ
ZTX689B Series NPN 2 A 20 V Silicon Planar Medium Power Transistor - TO-92-3
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Ammo Pack Style d'emballage :TO-92 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated ZTX689BSTZ - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=ZTX689BSTZ&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/ztx689bstz-diodes-incorporated-8292112
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Diodes Incorporated ZTX689BSTZ - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Polarity: | NPN |
| CE Voltage-Max: | 20V |
| Collector Current Max: | 2A |
| Power Dissipation-Tot: | 1.5W |
| Style d'emballage : | TO-92 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The ZTX689BSTZ is a NPN Silicon planar medium power high gain transistor with Low saturation voltage and 20 V collector to Emitter voltage.
Features:
- 20 Volt VCEO
- Gain of 400 at IC=2 Amps
- Very Low saturation voltage
Applications:
- Darlington replacement
- Flash gun convertors
- Battery powered circuits
- Motor drivers
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
40 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.28
4 000
$0.275
6 000+
$0.27
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Ammo Pack
Style d'emballage :
TO-92
Méthode de montage :
Through Hole