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Référence fabricant
MUN5212DW1T1G
MUN5212DW1 Series 1.9 V SMT NPN-Pre-Biased Digital Transistor - SOT-363
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-363 (SC-70-6, SC-88) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2350 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi MUN5212DW1T1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MUN5212DW1T1G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--digital-transistors/mun5212dw1t1g-onsemi-1191159
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onsemi MUN5212DW1T1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Polarity: | NPN |
| R1, R2: | 22kΩ |
| Collector Current Max: | 100mA |
| Output Current-Max: | 100mA |
| CE Voltage-Max: | 50V |
| Power Dissipation-Tot: | 250mW |
| Collector - Base Voltage: | 50V |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 0.3V |
| DC Current Gain-Min: | 60 |
| Emitter - Base Voltage: | 5V |
| Configuration: | Dual |
| Collector - Current Cutoff: | 0.1µA |
| Frequency - Transition: | -100MHz |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Style d'emballage : | SOT-363 (SC-70-6, SC-88) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
30 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0301
9 000
$0.0293
12 000
$0.0291
30 000
$0.0285
45 000+
$0.0279
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-363 (SC-70-6, SC-88)
Méthode de montage :
Surface Mount