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Référence fabricant
BSB028N06NN3GXUMA2
Single N-Channel 60 V 2.8 mOhm 108 nC OptiMOS Power Mosfet - MG-WDSON-2
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4800 par Reel Style d'emballage :MG‑WDSON‑5 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon BSB028N06NN3GXUMA2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSB028N06NN3GXUMA2&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsb028n06nn3gxuma2-infineon-5185403
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Infineon BSB028N06NN3GXUMA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.2W |
| Qg Gate Charge: | 143nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 22A |
| Turn-on Delay Time: | 21ns |
| Turn-off Delay Time: | 38ns |
| Rise Time: | 9ns |
| Fall Time: | 6ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 8800pF |
| Style d'emballage : | MG‑WDSON‑5 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 800+
$1.36
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4800 par Reel
Style d'emballage :
MG‑WDSON‑5
Méthode de montage :
Surface Mount