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Référence fabricant
BSC026N04LSATMA1
BSC026N04LS Series 40 V 119 A 2.6 mOhm N-Ch OptiMOS™ Power-MOSFET - PG-TDSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Infineon BSC026N04LSATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject Extension of shelf lifetime from 3 to 5 years for products in SMD (Surface Mount Devices) and Leadless packagesReason Extension of shelf lifetime and product availabilityDescription Maximum storage timeOld - 3 years New- 5 yearsIntended start of delivery Immediately
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC026N04LSATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc026n04lsatma1-infineon-5138653
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC026N04LSATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc026n04lsatma1-infineon-5138653
Infineon BSC026N04LSATMA1 - Caractéristiques techniques
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.6mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5W |
| Qg Gate Charge: | 32nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 23A |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Input Capacitance: | 2300pF |
| Style d'emballage : | TDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount