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onsemi | FDD7N20TM

Référence fabricant

FDD7N20TM

N-Channel 200 V 0.69 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2418
Product Specification Section
onsemi FDD7N20TM - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.69Ω
Rated Power Dissipation: 43|W
Qg Gate Charge: 5nC
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FDD7N20TM is a 200 V,5A Surface Mount N-Channel Power Field Effect Transistor Available in a TO-252 Package. It works at a Operating Temperature ranging between -55 to +150 °C.

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especically tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.

These devices are well suited for high efficient switched mode power supplies and active power factor correction.

Features:

  • RDS(on) = 0.58 Ω ( Typ. ) @ VGS = 10 V, ID = 2.5 A
  • Low gate charge( Typ. 5 nC )
  • Low Crss ( Typ. 5 pF )
  • Fast switching
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability
  • RoHS compliant
Pricing Section
Stock global :
5 000
États-Unis:
5 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
775,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.31
5 000
$0.305
12 500+
$0.30
Product Variant Information section