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Référence fabricant

IAUT165N08S5N029ATMA2

80Volt, 165Amp, 2.9mohm, 70QgnC, TO-LL 8L, OptiMOS™ 5

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IAUT165N08S5N029ATMA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 80V
Drain-Source On Resistance-Max: 2.9mΩ
Rated Power Dissipation: 167W
Qg Gate Charge: 70nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 165A
Turn-on Delay Time: 13ns
Turn-off Delay Time: 23ns
Rise Time: 9ns
Fall Time: 29ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: OptiMOS
Input Capacitance: 4900pF
Series: OptiMOS 5
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
2000
Multiples de :
2000
Total 
3 460,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 000
$1.73
4 000+
$1.71
Product Variant Information section