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Référence fabricant
IPA045N10N3GXKSA1
Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 88 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-220-3FP
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220FP (TO-220FPAB) Méthode de montage :Through Hole |
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| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPA045N10N3GXKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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N/A
Code HTS:
N/A
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
-
https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPA045N10N3GXKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipa045n10n3gxksa1-infineon-3183593
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPA045N10N3GXKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipa045n10n3gxksa1-infineon-3183593
Infineon IPA045N10N3GXKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 39|W |
| Qg Gate Charge: | 88nC |
| Style d'emballage : | TO-220FP (TO-220FPAB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
9 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500
$1.08
1 000
$1.07
2 000
$1.06
7 500+
$1.04
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage :
Through Hole