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Référence fabricant
IPI041N12N3GAKSA1
Single N-Channel 120 V 4.1 mOhm 158 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-262-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-262 (I2PAK) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPI041N12N3GAKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPI041N12N3GAKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipi041n12n3gaksa1-infineon-6183541
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Infineon IPI041N12N3GAKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 120V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.1mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 300|W |
| Qg Gate Charge: | 158nC |
| Style d'emballage : | TO-262 (I2PAK) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500
$2.57
1 000
$2.55
1 500
$2.53
2 500+
$2.50
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-262 (I2PAK)
Méthode de montage :
Through Hole