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Référence fabricant
IRF2804STRLPBF
Single N-Channel 40V 2 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2419 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRF2804STRLPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF2804STRLPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf2804strlpbf-infineon-7173912
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Infineon IRF2804STRLPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 330|W |
| Qg Gate Charge: | 160nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
46 400
États-Unis:
46 400
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800
$0.95
1 600
$0.935
2 400
$0.93
3 200
$0.925
4 000+
$0.905
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount