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Référence fabricant
SUD50N04-8M8P-4BE3
40V,A,8.8MOHM,DPAK
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Vishay SUD50N04-8M8P-4BE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Description of Change: To meet the increasing demand for commercial Power MOSFET products, Vishay Siliconix announces the qualification of wafer BGBM process (Backside-Grind and Backside-Metallization) for commercial Low-Voltage Power MOSFETs at in-house Siliconix Philippines Inc.(SPI) facility in Binan, Philippines.Reason for Change: Capacity Expansion
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SUD50N04-8M8P-4BE3&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sud50n04-8m8p-4be3-vishay-7128483
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Vishay SUD50N04-8M8P-4BE3 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 8.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.1W |
| Qg Gate Charge: | 56nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 14A |
| Turn-on Delay Time: | 45ns |
| Turn-off Delay Time: | 70ns |
| Rise Time: | 25ns |
| Fall Time: | 25ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Input Capacitance: | 2400pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount