Les commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.
Livraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent
Référence fabricant
STGB10NC60KDT4
STGB10NC60KD Series Low On State Surface Mount IGBT - TO-263-3
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STGB10NC60KDT4&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/stgb10nc60kdt4-stmicroelectronics-8775462
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STGB10NC60KDT4&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/stgb10nc60kdt4-stmicroelectronics-8775462
STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 600V |
| Collector Current @ 25C: | 20A |
| Power Dissipation-Tot: | 65W |
| Gate - Emitter Voltage: | ±20V |
| Pulsed Collector Current: | 30A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 2.5V |
| Turn-on Delay Time: | 17ns |
| Turn-off Delay Time: | 72ns |
| Qg Gate Charge: | 19nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 22ns |
| Leakage Current: | -100A |
| Input Capacitance: | 380pF |
| Thermal Resistance: | 62.5°C/W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The STGB10NC60KDT4 is a N-Channel Short Circuit PowerMESH IGBT Transistor. This resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
Features:
- Lower on voltage drop (VCE(sat))
- Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
- Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
- Short-circuit withstand time 10μs
Applications:
- High frequency motor controls
- SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies
- Motor drives
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.63
2 000
$0.62
3 000
$0.615
5 000
$0.61
10 000+
$0.595
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount