Référence fabricant
DMG1012T-13
MOSFET 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :10000 par Reel Style d'emballage :SOT-523 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMG1012T-13 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Diodes Incorporated DMG1012T-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.4Ω |
| Rated Power Dissipation: | 280mW |
| Qg Gate Charge: | 736.6pC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 6V |
| Drain Current: | 0.63A |
| Turn-on Delay Time: | 5.1ns |
| Turn-off Delay Time: | 26.7ns |
| Rise Time: | 7.4ns |
| Fall Time: | 12.3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1V |
| Input Capacitance: | 60.67pF |
| Style d'emballage : | SOT-523 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
10 000
$0.0319
30 000
$0.0312
50 000
$0.0308
100 000
$0.0304
200 000+
$0.0297
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
10000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-523
Méthode de montage :
Surface Mount