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Référence fabricant
IQD016N08NM5CGSCATMA1
N-Channel 80 V 323 A 333 W 1.57mOhm Surface Mount Mosfet - PG-WHTFN-9-U02
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :PG-WHTFN-9 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
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Infineon IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.57mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 333W |
| Qg Gate Charge: | 106nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | ±20V |
| Drain Current: | 323A |
| Turn-on Delay Time: | 15s |
| Turn-off Delay Time: | 29s |
| Rise Time: | 7s |
| Fall Time: | 10s |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3.8V |
| Technology: | Si |
| Input Capacitance: | 9200pF |
| Series: | OptiMOS™ 5 |
| Style d'emballage : | PG-WHTFN-9 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
5 000+
$2.56
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
PG-WHTFN-9
Méthode de montage :
Surface Mount