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Vishay | SIHB068N60EF-GE3

Référence fabricant

SIHB068N60EF-GE3

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode D2PAK (TO-263)

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Vishay SIHB068N60EF-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 68mΩ
Rated Power Dissipation: 250W
Qg Gate Charge: 51nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 5V
Drain Current: 41A
Turn-on Delay Time: 27ns
Turn-off Delay Time: 53ns
Rise Time: 55ns
Fall Time: 35ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 5V
Technology: Si
Input Capacitance: 2628pF
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
1
Multiples de :
50
tariff icon
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Total 
3,09 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$3.09
25
$3.02
100
$2.98
300
$2.94
1 250+
$2.85
Product Variant Information section