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Référence fabricant
SCT018W65G3-4AG
650 V 55 A 27 mOhm Single N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET - HiP247-4
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2 par Cut Tape Style d'emballage :TO-247-4 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SCT018W65G3-4AG&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/sct018w65g3-4ag-stmicroelectronics-5161973
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STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | Metal Oxide Film |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain Current: | 55A |
| Input Capacitance: | 2077pF |
| Power Dissipation: | 398W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +200°C |
| Style d'emballage : | TO-247-4 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1+
$11.90
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2 par Cut Tape
Style d'emballage :
TO-247-4
Méthode de montage :
Through Hole