Les commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.
Livraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent
Référence fabricant
25A512-I/P
25A512 Series 512 Kbit (64K X 8) SPI Serial EEPROM - DIP-8
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | Microchip | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :60 par Std. Mfr. Pkg Style d'emballage :DIP-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Microchip 25A512-I/P - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=25A512-I/P&field4=Microchip&field18=https://p1na.futureelectronics.com/en/de/p/semiconductors--memory--RAM--eeprom--spi-interface-protocol/25a512-i-p-microchip-C016259799
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=25A512-I/P&field4=Microchip&field18=https://p1na.futureelectronics.com/en/de/p/semiconductors--memory--RAM--eeprom--spi-interface-protocol/25a512-i-p-microchip-C016259799
Microchip 25A512-I/P - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Memory Density: | 512kb |
| Memory Organization: | 64 K x 8 |
| Supply Voltage-Nom: | 1.7V to 3V |
| Clock Frequency-Max: | 10MHz |
| Write Cycle Time-Max (tWC): | 5ms |
| Style d'emballage : | DIP-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The 25A512-I/P is a 512 Kbit serial EEPROM memory with byte-level and page-level serial EEPROM functions.
Features:
- 10 MHz max. Clock Speed
- Byte and Page-level Write Operations
- 128-byte page
- 5 ms max.
- No page or sector erase required
- Low-Power CMOS Technology
- Max. Write Current: 5 mA at 3.0 V, 10 MHz
- Read Current: 10 mA at 3.0 V, 10 MHz
- Standby Current: 1µA at 2.5 V (Deep powerdown)
- Electronic Signature for Device ID
- Self-Timed Erase and Write cycles
- Page Erase (5 ms, typical)
- Sector Erase (10 ms/sector, typical)
- Bulk Erase (10 ms, typical)
- Sector Write Protection (16K byte/sector)
- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array
- Built-In Write Protection
- Power-on/off data protection circuitry
- Write enable latch
- Write-protect pin
- High Reliability
- Endurance: 1 Million erase/write cycles
- Data Retention: >200 years
- ESD Protection: 4000 V
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Quantité
Prix unitaire
180
$2.16
240
$2.15
300+
$2.12
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
60 par Std. Mfr. Pkg
Style d'emballage :
DIP-8
Méthode de montage :
Surface Mount