Référence fabricant
IRFI530GPBF
MOSFET N-CHANNEL 100V
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Vishay IRFI530GPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Location Change
05/20/2025 Détails et téléchargement
Description of Change: Vishay Siliconix announces that we are going to transfer foundry capacity gradually (phase by phase) to Newport UK for commercial HVM Power MOSFET parts (Gen 3) due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, Israel.Reason for Change: Due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, IsraelStart Shipment Date: Monday September 1, 2025
Statut du produit:
Actif
Actif
Vishay IRFI530GPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 160mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 42|W |
| Qg Gate Charge: | 33nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
USA:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
50
$0.985
200
$0.96
1,000
$0.93
2,000
$0.92
6,250+
$0.885
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole