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Référence fabricant
A2C50S65M2
A2C50S65M2 Series 650 V 50 A 208 W Trench Gate Field-Stop IGBT - ACEPACK2
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :18 par Tray Méthode de montage :Chassis Mount | ||||||||||
| Code de date: | 1901 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics A2C50S65M2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=A2C50S65M2&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/a2c50s65m2-stmicroelectronics-3117846
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STMicroelectronics A2C50S65M2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 650V |
| Power Dissipation-Tot: | 208W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 100A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.95V |
| Turn-on Delay Time: | 147ns |
| Turn-off Delay Time: | 105ns |
| Qg Gate Charge: | 150nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 155ns |
| Leakage Current: | 500nA |
| Input Capacitance: | 4150pF |
| Thermal Resistance: | 0.65°C/W |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| No of Terminals: | 35 |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Pricing Section
Stock global :
7
États-Unis:
7
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
18
$56.68
36
$56.31
54
$56.09
72
$55.94
90+
$55.46
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
18 par Tray
Méthode de montage :
Chassis Mount