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Référence fabricant

STGP19NC60KD

STGP Series IGBT Low On State Through Hole IGBT - TO-220-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2352
Product Specification Section
STMicroelectronics STGP19NC60KD - Caractéristiques techniques
Attributes Table
CE Voltage-Max: 600V
Collector Current @ 25C: 35A
Power Dissipation-Tot: 125W
Gate - Emitter Voltage: ±20V
Pulsed Collector Current: 75A
Collector - Emitter Saturation Voltage: 2.75V
Turn-on Delay Time: 30ns
Turn-off Delay Time: 105ns
Qg Gate Charge: 55nC
Reverse Recovery Time-Max: 31ns
Leakage Current: -100A
Input Capacitance: 1170pF
Thermal Resistance: 62.5°C/W
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
No of Terminals: 3
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Fonctionnalités et applications

The STGP19NC60KD is a 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT. It has an Operating temperature ranges b/w -55 °C to 150 °C and available in a TO-220 Package.

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

Features:

  • Low on-voltage drop (VCE(sat))
  • Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility)
  • Short circuit withstand time 10 μs
  • IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling diode

Applications:

  • High frequency inverters
  • Motor drivers
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 180,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.18
2 000
$1.17
4 000
$1.16
5 000+
$1.15
Product Variant Information section