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Référence fabricant

BSP135H6327XTSA1

Single N-Channel 600 V 45 Ohm 3.7 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-223

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon BSP135H6327XTSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 45Ω
Rated Power Dissipation: 1.8|W
Qg Gate Charge: 3.7nC
Style d'emballage :  SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
325,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.325
3 000
$0.32
5 000
$0.315
20 000+
$0.305
Product Variant Information section