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Infineon | BSZ123N08NS3GATMA1

Référence fabricant

BSZ123N08NS3GATMA1

Single N-Channel 80 V 12.3 mOhm 19 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2344
Product Specification Section
Infineon BSZ123N08NS3GATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 80V
Drain-Source On Resistance-Max: 12.3mΩ
Rated Power Dissipation: 2.1|W
Qg Gate Charge: 19nC
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
5000
Multiples de :
5000
Total 
2 075,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.415
10 000
$0.41
15 000+
$0.40
Product Variant Information section