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Référence fabricant
DMN10H700S-7
DMN Series 100 V 700 mOhm 0.4 W SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2508 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN10H700S-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN10H700S-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn10h700s-7-diodes-incorporated-2102914
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Diodes Incorporated DMN10H700S-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.7Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.4W |
| Qg Gate Charge: | 4.6nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 0.7A |
| Turn-on Delay Time: | 2.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 5.4ns |
| Rise Time: | 1.1ns |
| Fall Time: | 1ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2.7V |
| Input Capacitance: | 235pF |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0571
9 000
$0.0557
15 000
$0.0551
60 000
$0.0534
90 000+
$0.0524
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount