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Référence fabricant
IAUT260N10S5N019ATMA1
IAUT260Nxx Series 100 V 1.9 mOhm 260 A OptiMOS™-5 Power-Transistor-PG-HSOF-8-1
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2315 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IAUT260N10S5N019ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IAUT260N10S5N019ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/iaut260n10s5n019atma1-infineon-3135367
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Infineon IAUT260N10S5N019ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.9mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 300W |
| Qg Gate Charge: | 128nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 260A |
| Turn-on Delay Time: | 21ns |
| Turn-off Delay Time: | 49ns |
| Rise Time: | 11ns |
| Fall Time: | 38ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 9100pF |
| Series: | IAUT260 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
2 000
États-Unis:
2 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 000+
$2.50
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount