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Référence fabricant
IPA50R190CEXKSA2
IPA50R190CE Series 500 V 18.5 A 190 mOhm CoolMOSTM CE Power Transistor -TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220FP (TO-220FPAB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2443 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPA50R190CEXKSA2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPA50R190CEXKSA2&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipa50r190cexksa2-infineon-7183546
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Infineon IPA50R190CEXKSA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 190mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 32|W |
| Qg Gate Charge: | 47.2nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 24.8A |
| Turn-on Delay Time: | 9.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 54ns |
| Rise Time: | 8.5ns |
| Fall Time: | 7.5ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | CoolMOS |
| Height - Max: | 16.15mm |
| Length: | 10.65mm |
| Input Capacitance: | 1137pF |
| Style d'emballage : | TO-220FP (TO-220FPAB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500
$0.86
1 500
$0.84
2 000
$0.835
5 000
$0.82
7 500+
$0.805
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage :
Through Hole