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Référence fabricant
IQE013N04LM6SCATMA1
OptiMOS 6 Series 40 V 31 A 1.35 mOhm Single N-Channel MOSFET - PG-WHSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :6000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2517 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IQE013N04LM6SCATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IQE013N04LM6SCATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/iqe013n04lm6scatma1-infineon-2196017
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Infineon IQE013N04LM6SCATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.35mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 107W |
| Qg Gate Charge: | 41nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 205A |
| Turn-on Delay Time: | 7.1ns |
| Turn-off Delay Time: | 21ns |
| Rise Time: | 3.6ns |
| Fall Time: | 4.9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Input Capacitance: | 3800pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
6 000
États-Unis:
6 000
Délai d'usine :
52+Semaines
Quantité
Prix unitaire
6 000+
$1.12
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
6000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount