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Référence fabricant
NTMFS3D2N10MDT1G
NTMFS3 Series 100 V 19 A 3.5 mOhm Single N-Channel MOSFET - DFN-5
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1500 par Reel Style d'emballage :DFN-5 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTMFS3D2N10MDT1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NTMFS3D2N10MDT1G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ntmfs3d2n10mdt1g-onsemi-1158558
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onsemi NTMFS3D2N10MDT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.8W |
| Qg Gate Charge: | 48nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 19A |
| Turn-on Delay Time: | 26.1ns |
| Turn-off Delay Time: | 39ns |
| Rise Time: | 7.2ns |
| Fall Time: | 6.3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Input Capacitance: | 3900pF |
| Style d'emballage : | DFN-5 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
33 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 500
$1.69
3 000
$1.68
4 500+
$1.66
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1500 par Reel
Style d'emballage :
DFN-5
Méthode de montage :
Surface Mount