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Référence fabricant
RH6R025BHTB1
150V 25A 60ohmsN-CH HSMT8 Power MOSFET
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2324 | ||||||||||
Product Specification Section
ROHM RH6R025BHTB1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=RH6R025BHTB1&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/rh6r025bhtb1-rohm-7177152
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ROHM RH6R025BHTB1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 150V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 60mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 59W |
| Qg Gate Charge: | 11nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 25A |
| Turn-on Delay Time: | 18ns |
| Turn-off Delay Time: | 36ns |
| Rise Time: | 12ns |
| Fall Time: | 15ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Input Capacitance: | 1010pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
24 000
États-Unis:
24 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.53
6 000
$0.525
9 000
$0.52
15 000+
$0.51
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount