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Référence fabricant
STB32NM50N
N-Channel 500 V 130 mOhm SMT MDmesh II Power Mosfet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Cut Tape Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STB32NM50N - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STB32NM50N&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stb32nm50n-stmicroelectronics-8100085
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STMicroelectronics STB32NM50N - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.13Ω |
| Rated Power Dissipation: | 190W |
| Qg Gate Charge: | 62.5nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 22A |
| Turn-on Delay Time: | 21.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 110ns |
| Rise Time: | 9.5ns |
| Fall Time: | 23.6ns |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | MDmesh |
| Input Capacitance: | 1973pF |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$2.36
10
$2.28
40
$2.24
150
$2.20
500+
$2.14
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Cut Tape
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount