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Référence fabricant
STN6N60M2
N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET, SOT-223
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :SOT-223-2 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2514 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STN6N60M2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STN6N60M2&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stn6n60m2-stmicroelectronics-7154939
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STMicroelectronics STN6N60M2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.25Ω |
| Rated Power Dissipation: | 6W |
| Qg Gate Charge: | 6.2nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 5.5A |
| Turn-on Delay Time: | 6.4ns |
| Turn-off Delay Time: | 18ns |
| Rise Time: | 6.2ns |
| Fall Time: | 15.8ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | MDmesh |
| Input Capacitance: | 220pF |
| Series: | MDmesh M2 |
| Style d'emballage : | SOT-223-2 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
4 000
États-Unis:
4 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.24
8 000
$0.235
16 000+
$0.23
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-223-2
Méthode de montage :
Surface Mount