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Référence fabricant
STQ1HNK60R-AP
STQ1HNK60R Series 600 V 400 mA 8.5 Ohm N-Channel SuperMESH™ Mosfet - TO-92-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Ammo Pack Style d'emballage :TO-92 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STQ1HNK60R-AP&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stq1hnk60r-ap-stmicroelectronics-7022210
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STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 8.5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 3|W |
| Qg Gate Charge: | 7nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 0.4A |
| Turn-on Delay Time: | 6.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 19ns |
| Rise Time: | 5ns |
| Fall Time: | 25ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Height - Max: | 4.95mm |
| Length: | 4.95mm |
| Style d'emballage : | TO-92 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.255
8 000
$0.25
30 000+
$0.245
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Ammo Pack
Style d'emballage :
TO-92
Méthode de montage :
Through Hole