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Référence fabricant
STU4N52K3
N-Channel 525 V 2.6 Ohm Through Hole SuperMESH3 Power Mosfet - IPAK
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Tube Style d'emballage :IPAK Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STU4N52K3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STU4N52K3&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stu4n52k3-stmicroelectronics-7090810
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STMicroelectronics STU4N52K3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 525V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.6Ω |
| Rated Power Dissipation: | 45W |
| Qg Gate Charge: | 11nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 2.5A |
| Turn-on Delay Time: | 8ns |
| Turn-off Delay Time: | 21ns |
| Rise Time: | 7ns |
| Fall Time: | 14ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.75V |
| Technology: | MDmesh |
| Input Capacitance: | 334pF |
| Style d'emballage : | IPAK |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.57
6 000
$0.565
9 000
$0.56
12 000
$0.555
15 000+
$0.55
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Tube
Style d'emballage :
IPAK
Méthode de montage :
Through Hole