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Référence fabricant
IMT65R163M1HXUMA1
IMT65 Series 650V 31A 106W 217mOhm Silicon Carbide MOSFET PG-HSOF-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
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Infineon IMT65R163M1HXUMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Subject CoolSiCTM 650V G1 SiC datasheets revision updatesReason: (1) Naming and nomenclature update according to IEC 60747-8 Amd.1 Ed.3.03 from 2020(2) Update Tj,max from 150°C to 175°C for the following products:IMW65R027M1H, IMW65R048M1H,IMW65R072M1H,IMW65R107M1H,IMZA65R027M1H, IMZA65R048M1H,IMZA65R072M1H and IMZA65R107M1H(3) Extend the VGS(static) and VGS(dynamic) specs of products reported in Table 1 in TO247-3pin and TO247-4pin package.(4) Datasheet template harmonization with respect to CoolSiCTM MOSFET 650V G2
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IMT65R163M1HXUMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/imt65r163m1hxuma1-infineon-4182178
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IMT65R163M1HXUMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/imt65r163m1hxuma1-infineon-4182178
Infineon IMT65R163M1HXUMA1 - Caractéristiques techniques
| Product Status: | Active |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain Current: | 13A |
| Input Capacitance: | 320pF |
| Power Dissipation: | 106W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount