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Référence fabricant
NTH4L022N120M3S
N-Channel 1200 V 68 A 352 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4L
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Tube Style d'emballage :TO-247-4L Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2421 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTH4L022N120M3S - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NTH4L022N120M3S&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/nth4l022n120m3s-onsemi-2167960
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onsemi NTH4L022N120M3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 68A |
| Input Capacitance: | 3175pF |
| Power Dissipation: | 352W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-4L |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
450+
$11.45
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-4L
Méthode de montage :
Through Hole