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Référence fabricant
IPP65R041CFD7XKSA1
N-Channel 650 V 50 A 227 W Through Hole CoolMOS™ MOSFET - PG-TO220-3-1
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPP65R041CFD7XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Actif
Actif
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Infineon IPP65R041CFD7XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 41mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 227W |
| Qg Gate Charge: | 102nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 50A |
| Turn-on Delay Time: | 34ns |
| Turn-off Delay Time: | 115ns |
| Rise Time: | 12ns |
| Fall Time: | 3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 4975pF |
| Series: | IPP65R041 |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$4.28
150
$4.22
250
$4.20
1 000
$4.13
1 500+
$4.08
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole