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STMicroelectronics | STU12N60M2

Référence fabricant

STU12N60M2

N-Channel 600 V 450 mOhm Through Hole MDmesh M2 Power Mosfet - IPAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 1841
Product Specification Section
STMicroelectronics STU12N60M2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.45Ω
Rated Power Dissipation: 85W
Qg Gate Charge: 16nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 25V
Drain Current: 9A
Turn-on Delay Time: 9.2ns
Turn-off Delay Time: 5ns
Rise Time: 9.2ns
Fall Time: 18ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: MDmesh
Input Capacitance: 538pF
Style d'emballage :  IPAK
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
3 000
États-Unis:
3 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
tariff icon
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Total 
0,69 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$0.685
50
$0.67
250
$0.65
1 000
$0.63
4 000+
$0.60
Product Variant Information section