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Référence fabricant
FQA8N100C
N-Channel 1000 V 8 A 1.45 Ohm QFET® Mosfet - TO-3P
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Tube Style d'emballage :TO-3P Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2532 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FQA8N100C - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FQA8N100C&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/fqa8n100c-on-semiconductor-4831012
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onsemi FQA8N100C - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1000V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.45Ω |
| Rated Power Dissipation: | 225|W |
| Qg Gate Charge: | 70nC |
| Style d'emballage : | TO-3P |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
28 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$3.15
25
$3.08
100
$3.04
300
$3.00
1 250+
$2.91
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Tube
Style d'emballage :
TO-3P
Méthode de montage :
Through Hole