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Product Specification Section
onsemi MMBT5551LT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Polarity: NPN
Type: General Purpose
CE Voltage-Max: 160V
Collector Current Max: 600mA
Power Dissipation-Tot: 225mW
Collector - Base Voltage: 180V
Collector - Emitter Saturation Voltage: 0.2V
Emitter - Base Voltage: 6V
DC Current Gain-Min: 30
Collector - Current Cutoff: 50nA
Configuration: Single
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Moisture Sensitivity Level: 1
Style d'emballage :  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The MMBT5551LT1G is a NPN silicon high voltage transistor with voltage of 160 V, available in a SOT-23 package.

Features:

  • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
  • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements
  • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
Pricing Section
Stock global :
24 461
États-Unis:
24 461
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
0,13 $
USD
Quantité
Prix Internet
1
$0.134
15
$0.0975
75
$0.0758
300
$0.0571
1 500+
$0.0354