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Référence fabricant
BSS138DW-7-F
Dual N-Channel 50 V 3.5 Ohm Surface Mount Enhancement MosFet - SOT-363
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-363 (SC-70-6, SC-88) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated BSS138DW-7-F - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSS138DW-7-F&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bss138dw-7-f-diodes-incorporated-3158373
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Diodes Incorporated BSS138DW-7-F - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 50V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 200|mW |
| Style d'emballage : | SOT-363 (SC-70-6, SC-88) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The BSS138DW-7-F is a BSS138DW Series 50 V 3.5 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode Transistor available in SOT-363 package .
Product Features:
- Low On-Resistance
- Low Gate Threshold Voltage
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Total Power Dissipation is 200 mW
- Thermal Resistance, Junction to Ambient is 625 °C/W
- Operating and Storage Temperature Range is -55 to +150 °C
- Drain Current is 200 mA
- Gate-Source Voltage is ±20 V
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0377
6 000
$0.0371
12 000
$0.0365
15 000
$0.0363
45 000+
$0.0351
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-363 (SC-70-6, SC-88)
Méthode de montage :
Surface Mount