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Référence fabricant
DMG302PU-13
P-Channel 25 V 170mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :10000 par Reel Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMG302PU-13 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMG302PU-13&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmg302pu-13-diodes-incorporated-3144500
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Diodes Incorporated DMG302PU-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 25V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 10Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.33W |
| Qg Gate Charge: | 0.35nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 8V |
| Drain Current: | 0.17A |
| Turn-on Delay Time: | 4.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 24.1ns |
| Rise Time: | 2.3ns |
| Fall Time: | 11ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.5V |
| Input Capacitance: | 27.2pF |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
10 000
$0.109
20 000
$0.108
30 000
$0.107
50 000+
$0.105
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
10000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount