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Référence fabricant
DMN62D1SFB-7B
DMN62D1SFB Series 60 V 410 mA N-Channel Enhancement Mode Mosfet - DFN-3
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :10000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2304 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN62D1SFB-7B - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN62D1SFB-7B&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn62d1sfb-7b-diodes-incorporated-2108052
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Diodes Incorporated DMN62D1SFB-7B - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.4Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.47W |
| Qg Gate Charge: | 1.39nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 0.41A |
| Turn-on Delay Time: | 3.89ns |
| Turn-off Delay Time: | 18.8ns |
| Rise Time: | 4.93ns |
| Fall Time: | 11.96ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.6V |
| Input Capacitance: | 40pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
24 Semaines
Quantité
Prix unitaire
10 000
$0.0735
20 000
$0.0723
30 000
$0.0717
40 000
$0.0712
50 000+
$0.0697
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
10000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount