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onsemi | ECH8695R-TL-W

Référence fabricant

ECH8695R-TL-W

ECH8695R Series 24 V 11 A 9.1 mOhm Dual N-Channel Power MOSFET - SOT-28

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi ECH8695R-TL-W - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual N-Ch
No of Channels: 2
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 24V
Drain-Source On Resistance-Max: 9.1mΩ
Rated Power Dissipation: 1.5W
Qg Gate Charge: 10nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 12.5V
Drain Current: 11A
Turn-on Delay Time: 300ns
Turn-off Delay Time: 19.7ns
Rise Time: 320ns
Fall Time: 22.3ns
Gate Source Threshold: 1.3V
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
24 000
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
885,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.295
6 000
$0.29
12 000+
$0.285
Product Variant Information section