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onsemi | FDN86246

Référence fabricant

FDN86246

FDN86246 Series 150 V 1.6 A 261 mOhm N-Ch PowerTrench Mosfet - SuperSOT-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi FDN86246 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 150V
Drain-Source On Resistance-Max: 261mΩ
Rated Power Dissipation: 600|mW
Qg Gate Charge: 2.9nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 1.6A
Turn-on Delay Time: 4.5ns
Turn-off Delay Time: 8ns
Rise Time: 1.1ns
Fall Time: 2.9ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3.4V
Technology: PowerTrench
Height - Max: 0.94mm
Length: 2.92mm
Input Capacitance: 168pF
Style d'emballage :  SSOT-3
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
29 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
1 620,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.54
6 000
$0.53
12 000
$0.525
15 000+
$0.515
Product Variant Information section