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Référence fabricant
FDP2614
FDP2614 Series 200 V 62 A 27 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDP2614 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDP2614&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdp2614-onsemi-2035465
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDP2614&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdp2614-onsemi-2035465
onsemi FDP2614 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 27mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 260|W |
| Qg Gate Charge: | 76nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 62A |
| Turn-on Delay Time: | 77ns |
| Turn-off Delay Time: | 103ns |
| Rise Time: | 284ns |
| Fall Time: | 162ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Height - Max: | 9.4mm |
| Length: | 10.67mm |
| Input Capacitance: | 5435pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$2.70
25
$2.64
100
$2.60
300
$2.57
1 250+
$2.49
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole