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Référence fabricant
FDS3590
N-Channel 80 V 39 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2440 | ||||||||||
onsemi FDS3590 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDS3590&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fds3590-onsemi-8003691
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onsemi FDS3590 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 39mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 25nC |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDS3590 is a 80 V 39 mΩN-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.
These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Features:
- Back to Top6. 5 A, 80 V
- RDS(on) = 39 mΩ @ VGS = 10 V
- RDS(on) = 44 mΩ @ VGS = 6 V
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)
- High power and current handling capability
Applications:
- DC/DC converters
- Building & Home Control
- Medical Electronics/Devices
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount