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Référence fabricant
FDS4675
P-Channel 40 V 13 mOhm PowerTrench Mosfet SOIC-8
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDS4675 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDS4675&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fds4675-onsemi-7599020
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onsemi FDS4675 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 13mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.4|W |
| Qg Gate Charge: | 56nC |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDS4675 is a 40 V 13 mO P-Channel MOSFET is a rugged gate version of advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5 V – 20 V)
Features:
- –11 A, –40 V RDS(ON) = 0.013 W @ VGS = –10 VRDS(ON) = 0.017 W @ VGS = –4.5 V
- Fast switching speed
- High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)
- High power and current handling capability
- Qualified to AEC Q101
- RoHS Compliant
Applications:
- Power management
- Load switch
- Battery protection
View the complete family of P-channel mosfets
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.455
5 000
$0.445
10 000
$0.44
12 500+
$0.435
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount