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Référence fabricant
FDT3612
N-Channel 100 V 120 mOhm SMT PowerTrench Mosfet- SOT-223
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :SOT-223 (TO-261-4, SC-73) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
onsemi FDT3612 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDT3612&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdt3612-onsemi-8139859
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onsemi FDT3612 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 120mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.1|W |
| Qg Gate Charge: | 14nC |
| Style d'emballage : | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDT3612 is a 100 V 120 mΩ N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.
These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Features:
- 3.7 A, 100 V
- RDS(on) = 120 mΩ@ VGS = 10 V
- RDS(on) = 130 mΩ @ VGS = 6 V
- Fast switching speed
- Low gate charge (14nC typical)
- High performance trench technology
- High power and current handling capability
Applications:
- Power management
- Load switch
- Battery protection
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage :
Surface Mount