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Référence fabricant
IPT020N10N5ATMA1
N-Channel 100 V 260 A 273 W SMT OptiMOSTM5 Power Transistor - PG-HSOF-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPT020N10N5ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Assembly Site/Material Change
01/13/2023 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPT020N10N5ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipt020n10n5atma1-infineon-5161311
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPT020N10N5ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipt020n10n5atma1-infineon-5161311
Infineon IPT020N10N5ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 273W |
| Qg Gate Charge: | 122nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 31A |
| Turn-on Delay Time: | 20ns |
| Turn-off Delay Time: | 49ns |
| Rise Time: | 13ns |
| Fall Time: | 17ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 8700pF |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 000+
$1.86
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount