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Référence fabricant

IXFX120N30T

N-Channel 300 V 120 A 24 mΩ Through Hole GigaMOS Power Mosfet - PLUS247

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Littelfuse - IXYS
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Littelfuse - IXYS IXFX120N30T - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 300V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.024Ω
Rated Power Dissipation: 960|W
Qg Gate Charge: 265nC
Style d'emballage :  PLUS-247
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
23 Semaines
Commande minimale :
300
Multiples de :
30
Total 
2 967,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$10.00
90
$9.92
150
$9.89
450
$9.81
750+
$9.75
Product Variant Information section