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Référence fabricant
MRF101AN
MRF Series 50 V 250 MHz 100 W CW Wideband RF Power LDMOS Transistor - TO220-3
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| Nom du fabricant: | NXP | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
NXP MRF101AN - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MRF101AN&field4=NXP&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/mrf101an-nxp-4107354
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NXP MRF101AN - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 133V |
| Rated Power Dissipation: | 182W |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 10V |
| Operating Temp Range: | -40°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.2V |
| Input Capacitance: | 149pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$26.78
100
$26.61
150+
$26.44
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole