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Référence fabricant


Dual N-Channel 20 V 0.9 Ohm 2.5 nC 250 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-563

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2235
Product Specification Section
onsemi NTZD3154NT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual N-Ch
No of Channels: 2
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.9Ω
Rated Power Dissipation: 250mW
Qg Gate Charge: 2.5nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 7V
Drain Current: 540mA
Turn-on Delay Time: 6ns
Turn-off Delay Time: 16ns
Rise Time: 4ns
Fall Time: 8ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 1V
Technology: Si
Height - Max: 0.6mm
Length: 1.7mm
Input Capacitance: 80pF
Style d'emballage :  SOT-563
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The NTZD3154NT1G is a part of NTZD3154N series N-channel small signal MOSFET. It has a storage temperature ranging from -55°C to +150°C and its available in SOT-563-6 package.


  • Low RDS(on) Improving System Efficiency
  • Low Threshold Voltage
  • Small Footprint 1.6 x 1.6 mm
  • ESD Protected Gate
  • These are Pb−Free Devices


  • Load/Power Switches
  • Power Supply Converter Circuits
  • Battery Management
  • Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, etc.

View the available family of N-channel small signal MOSFET

Pricing Section
Stock global :
1 668 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
1 668 000
Sur commande :Order inventroy details
28 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
Multiples de :
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
239,20 $
Prix Internet
4 000
12 000
20 000
40 000
80 000+
Product Variant Information section