
Référence fabricant
NTZD3154NT1G
Dual N-Channel 20 V 0.9 Ohm 2.5 nC 250 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-563
Product Specification Section
onsemi NTZD3154NT1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NTZD3154NT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | Dual N-Ch |
No of Channels: | 2 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 0.9Ω |
Rated Power Dissipation: | 250mW |
Qg Gate Charge: | 2.5nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 7V |
Drain Current: | 540mA |
Turn-on Delay Time: | 6ns |
Turn-off Delay Time: | 16ns |
Rise Time: | 4ns |
Fall Time: | 8ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 1V |
Technology: | Si |
Height - Max: | 0.6mm |
Length: | 1.7mm |
Input Capacitance: | 80pF |
Style d'emballage : | SOT-563 |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NTZD3154NT1G is a part of NTZD3154N series N-channel small signal MOSFET. It has a storage temperature ranging from -55°C to +150°C and its available in SOT-563-6 package.
Features:
- Low RDS(on) Improving System Efficiency
- Low Threshold Voltage
- Small Footprint 1.6 x 1.6 mm
- ESD Protected Gate
- These are Pb−Free Devices
Applications:
- Load/Power Switches
- Power Supply Converter Circuits
- Battery Management
- Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, etc.
View the available family of N-channel small signal MOSFET
Pricing Section
Stock global :
1 668 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
1 668 000
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix Internet
4 000
$0.0598
12 000
$0.0575
20 000
$0.0565
40 000
$0.0552
80 000+
$0.0531
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-563
Méthode de montage :
Surface Mount